东芝推出下一代超级结(SJ)深沟槽半导体技术，用于高效功率场效应管。与以前的DTMOS IV mosfet相比，基于新型DTMOS V工艺的器件具有更低的EMI噪声和更低的on电阻(R(DS(on))。

与之前的DTMOS IV半导体技术一样，DTMOS V是基于一个单一的外延过程，包括“深沟槽蚀刻”，然后是p型外延生长。与传统的平面充填工艺相比，深沟充填工艺使细胞间距变窄，R(DS(ON))降低。与使用多外延生长过程的传统超结mosfet相比，东芝的深沟槽工艺允许提高R(DS(ON))的热系数。

与TK12P60W DTMOS IV MOSFET的最低R(DS(ON))相比，使用DTMOS V，东芝能够将DPAK TK290P60Y的R(DS(ON))降低17%。该公司还进一步优化了开关性能和EMI噪声之间的权衡。

DTMOS V mosfet简化了设计，提高了功率转换应用的性能，包括开关电源、功率因数校正(PFC)设计、LED照明和其他AC/DC应用。第一代mosfet基于第五代工艺，额定电压为600v和650v，采用DPAK (TO-252)和TO-220SIS(智能隔离)封装。最大电阻额定值范围仅为0.29欧姆至0.56欧姆。

特性

• 与之前的DTMOS IV相比，R(DS(ON))(漏源极导通电阻)降低了17%

• 对电阻阵容0.29欧姆至0.56欧姆

• 多种包阵容:可分2个包部署(DPAK、To - 220sis)

应用 

• 服务器

• 为基站或其他设备切换电源

• 光伏逆变器