亚德诺半导体ADI公司的HMC637是一种砷化镓(GaAs) cascode分布式功率放大器。该器件是一种单片微波集成电路(MMIC)，包含一个假晶型高电子迁移率晶体管(pHEMT)。该功率放大器在正常工作中是自偏置的，具有用于静态电流(IDQ)调整和二阶截距(IP2)和三阶截距(IP3)优化的可选偏置控制功能。放大器的工作范围从dc到7.5 GHz，提供15.5 dB的小信号增益，1 dB增益压缩时28 dBm输出功率，典型的输出IP3为39 dBm, 3.5 dB的噪声值，同时从12 V电源电压(VDD)需要345 mA。增益平坦度从dc到7.5 GHz(±0.5 dB)的典型增益，使HMC637成为航空、工业和测试设备应用的理想选择。HMC637也特性输入/输出(I / o)内部匹配50欧姆,坐落在一个通过无铅认证,5毫米×5毫米,引线框芯片规模包(LFCSP)。

特性

• 输出功率:典型28 dBm

• 增益:典型15.5 dB

• 输出IP3: 39 dBm典型

• 自偏在V(DD) = 12 V在345 mA典型

• 可选的偏置控制V(GG1)的I(DQ)调整

• 可选的偏置控制V(GG2)为IP2和IP3优化

• 50欧姆匹配输入/输出

• 32引脚，5 mm×5 mm LFCSP封装:25 mm2

应用程序

• 测试和测量

• 工业

• 航空

• 基站