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MR45V100A 1 Mbit FeRAM内存IC

来源:HQBUY 发布时间:2022-02-17

摘要: ROHM的FeRAM具有更快的数据重写速度、更高的重写耐用性和更低的功耗



罗门哈斯的MR45V100A 1 Mbit铁电随机存取存储器(FeRAM)专为智能仪表、测量设备、医疗设备和金融终端等应用而设计,需要快速频繁地获取日志数据和/或在紧急情况下快速数据备份。与EEPROM和Flash等非易失性存储器相比,FeRAM具有更快的数据重写速度、更高的重写耐用性和更低的功耗。


MR45V100A通过SPI总线在1.8 V到3.6 V的宽供电电压范围内提供高速40 MHz的工作。大的1mbit容量确保稳定、高速的性能,即使在不稳定的电力环境中突然电压下降,有助于提高可靠性时,用于已安装设备的高速备份。另外,MR44V100A具有I(2)C总线I/F,适合于不需要高速操作的应用。


此外,考虑到移动应用程序,待机模式得到了改进,以遏制在增加内存容量时出现的功耗上升,并实现了睡眠模式,以进一步降低功耗。这导致低10μ(大道)待机电流和睡眠电流的0.1μ(大道),使它们适合便携式终端设备和方便,如批准终端和数据记录器,一个重视电池驱动。


特性
  • 在1.8 V到3.6 V的宽范围内启用40 MHz的工作
  • 大容量,低待机/休眠电流
    • 改善待机模式限制10μ待机电流
    • 睡眠睡眠模式提供低电流0.1μ随着恢复时间快
应用程序
  • 办公自动化
  • 工业设备
  • 广播系统
  • 汽车配件
  • 医疗设备
  • 笔记本电脑
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