STMicroelectronics公司的PWD5F60高密度功率驱动器是一种先进的封装式功率系统，集成了栅极驱动器和四个n通道功率mosfet，采用双半桥结构。集成功率场效应管的R(DS(ON))为1.38欧姆，漏源极击穿电压为600 V，而集成自举二极管可以方便地提供嵌入栅驱动器的高侧。该设备的高集成度允许在很小的空间内有效地驱动负载。

PWD5F60接受电源电压(V(CC))，在10 V到20 V的范围内扩展。它们在下部和上部的驱动部分都有UVLO保护，防止电源开关在低效率或危险条件下工作。输入引脚扩展的范围允许很容易地接口与微控制器，DSP单元，或霍尔效应传感器。

PWD5F60内嵌两个未使用的比较器，可用于保护过流、过热等。PWD5F60工作在工业温度范围-40°C至+125°C。