高密度，低功耗32 M CMOS SRAM

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-21

摘要： Alliance Memory采用其32 M (2 M x 16 / 4 M x 8可切换)AS6C3216 IC高密度低功耗CMOS SRAM

Alliance Memory的AS6C3216是一个33,554,432位低功耗CMOS静态随机存取存储器，组织为2,097,152字x 16位或4,194,304字x 8位。它是用高性能、高可靠性CMOS技术制造的。其待机电流在工作温度范围内是稳定的。AS6C3216非常适合低功耗应用，特别适合电池备份非易失性存储器应用。AS6C3216从2.7 V到3.6 V的单一电源运行，所有输入和输出完全TTL兼容。

特性和好处
从2.7 V到3.6 V的单一电源运行快速访问时间55秒低功耗与一个典型的操作电流45 mA和备用电流10μ 数据保持电压最小为1.2 V		完全静态运行和三态输出完全TTL兼容输入和输出 48针，12毫米x 20毫米tsopi封装和48球8毫米x 10毫米TFBGA
应用程序
低功率工业、电信、医疗和汽车应用		电池备份非易失性存储器

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