东芝扩大了其超高效率、低压mosfet系列产品，在现有的产品线中增加了40v和45v器件。所有设备都将提供超紧凑的SOP高级封装选项，实现低导通电阻，低Q(OSS)，以提高使用在基站、服务器或工业设备中的切换模式电源的效率。

该n沟道mosfet由一个40 V器件和一个45 V器件组成，是基于东芝的下一代U-MOS IX-H沟道半导体工艺。通过降低导通电阻(R(DS(ON)))和通过降低输出电荷(Q(OSS))提高开关效率，该工艺被设计为在各种负载条件下提供“同类中最佳”的效率。

mosfet将帮助设计人员在各种电源管理电路中减少损耗和板空间，包括DC-DC转换中的高侧和低侧切换和交直流设计中的次级侧同步整流。该技术也适用于基于锂离子电池的电子设备中的电机控制和保护电路模块。

在10 V电压(vg),最大的R (DS(上))评级40 V MOSFET只是1.24欧姆,而典型的C (OSS)是1300 pF。45 V项目提供了R (DS )和典型的C (OSS)评级1.04欧姆,1860 pF。这样可以确保提高优化性能在一个给定的应用程序的灵活性。

这两个UMOS IX-H mosfet可在低轮廓表面贴装封装SOP Advance。所有的mosfet都将在175°C的通道温度下工作。