TDK的TAS系列角度传感器利用隧道磁阻(TMR)元件提供高输出、高精度和高稳定性。这种TMR元件是利用TDK的薄膜技术开发的，这种薄膜技术是在硬盘磁头生产过程中积累起来的。TMR元件由三层组成:pin层、阻挡层和自由层。阻挡层由薄绝缘体构成，夹在引脚和自由层之间，它们都由铁磁材料制成。pin层的磁化方向固定，自由层的磁化方向随外磁场方向改变。当自由层和pin层的磁化方向平行时，元件的电阻变小，使大电流流过阻挡层。当自由层和引脚层反平行时，电阻变大，几乎没有电流流过阻挡层。

当在TMR传感器上旋转磁铁时，自由层的磁化方向会跟随磁铁的磁场方向，元件的电阻会连续变化。该电阻值与pin层和自由层磁化方向之间的相对角度成正比，这意味着该元件可以用作角度传感器进行360°角度检测。

TDK的TAS系列TMR角度传感器的输出比AMR传感器高20倍，比GMR传感器高6倍。助教系列还包括低功耗、低老化变质,并维护稳定的角精度在广泛的温度范围(角误差±0.6°或少20吨到80吨的磁场范围在温度从-40°C到+ 150°C),使它们适合用于汽车和工业应用。

附加信息:助教技术笔记