高速，低压CMOS DDR3L SDRAM

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-19

摘要： Alliance Memory推出AS4C512M16D3L单片高速、低压CMOS双数据速率3同步DRAM

Alliance Memory的AS4C512M16D3L单片高速、低压CMOS双数据速率3同步DRAM (DDR3L SDRAM)具有8 GB密度96球，9 mm x 14 mm，无铅(Pb) FBGA封装。以最小模收缩,单模拉设备提供了一个可靠的不速之客,pin-for-pin-compatible替代很多类似的解决方案与新一代微处理器用于工业、医疗、网络、电信和航空航天应用,不再需要昂贵的重新设计和requalification一部分。对于需要增加内存但面临板空间限制的应用程序，这8 GB DDR3L是一个合理的选择。

特性和好处
提供96球，9毫米x 14毫米，无铅(Pb) FBGA封装由美光科技提供的最先进的硅极快的传输速率高达1600 Mbps/pin和800 MHz的时钟速率可用于商业扩展(0°C至+95°C)和工业(-40°C至+95°C)温度范围内部配置为8个银行64 M x 16位(参数512m x 16)		操作从一个单一的+1.35 V电源完全同步操作可编程读或写突发长度4或8 自动预充功能提供自定时的行预充，在爆发序列结束时启动易于使用的刷新功能包括自动或自我刷新可编程模式寄存器允许系统选择最合适的模式，使性能最大化

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