东芝扩大了其超高效率、低压mosfet家族，在公司现有的产品线中增加了新的40v和60v器件。所有设备都将采用DPAK包选项，实现低导通电阻、低Q(OSS)，以提高基站、服务器或工业设备中使用的切换模式电源的效率。

由40v和60v器件组成，新的n通道mosfet是基于东芝新一代U-MOS IX-H沟槽半导体工艺。通过降低电阻(R(DS(on)))和通过降低输出电荷(Q(OSS))提高开关效率，该工艺被设计为在各种负载条件下提供“同类中最佳”的效率。

mosfet将帮助设计人员在各种电源管理电路中减少损耗和板空间，包括DC-DC转换中的高侧和低侧切换和交直流设计中的次级侧同步整流。该技术也适用于基于锂离子电池的电子设备中的电机控制和保护电路模块。