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SiC功率MOSFET和二极管栅驱动评估板套件

来源:HQBUY 发布时间:2021-04-19

摘要: 来自IXYS的门驱动程序评估板,一种Littelfuse技术,分析SiC设计的系统级影响



IXYS, Littelfuse技术公司,已经开发了一种用于碳化硅mosfet和二极管的栅极驱动评估板。GDEV系统包括一个主板,可以将门驱动模块板插入其中,允许用户分析与基于sicg的设计相关的系统级影响。它提供了在定义良好和优化的测试条件下比较不同门驱动器半桥配置方案的性能的能力。此外,GDEV提供连续工作条件下的栅极驱动电路测试,以评估栅极驱动的热性能和电磁干扰抗扰度。

资源

  • 应用说明:门驱动评估平台
  • 产品目录:电力半导体产品目录
  • 产品亮点:功率半导体-碳化硅(SiC)产品组合
  • 白皮书:SiC MOSFET的现状:器件的发展,技术优点和商业前景
  • 视频:采用SiC主流:Littelfuse电源半导体的故事

特性
  • 评估SiC功率mosfet和二极管在额定电压和额定电流下的连续运行情况
  • 在定义良好和优化的测试条件下比较不同门驱动方案的性能。
  • 在连续工作条件下测试栅极驱动电路,评估栅极驱动电路的热性能和电磁干扰抗扰度
  • 分析SiC设计中系统级的影响
    • 效率的提高
    • EMI排放
    • 无源组件(尺寸、成本和重量)
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