二极管DGD0506和DGD0507高频门驱动ic设计用于半桥结构驱动两个外部n通道MOSFET，具有高侧和低侧输出驱动能力，具有简单的逻辑电平输入，使MCU和功率MOSFET开关之间有一个简单的接口。支持高达50v通过浮动高侧适合广泛的电机驱动在电池供电的应用。包括自我保护功能，如死区时间和匹配延迟，以规避击穿问题，施密特触发输入，以避免误触发，门驱动容忍负瞬变期间造成高dv/dt开关，和欠压锁定(UVLO)保护V(cc)电源，以避免故障，在低供电电压。

特性

• 源和sink电流1.8 A / 2.5 A
  • 通过最小化功率mosfet的开关时间提高系统效率
• 逻辑电平输入2.5 V
  • PWM控制直接从3.3 V MCU，而输出步骤至V(cc)电源(8 V至14 V)，以确保MOSFET充分增强，以减少损耗
• 射穿预防逻辑
  • 为了保护MOSFET免受射通，这些栅极驱动器有匹配的延迟，DGD0506具有从70 ns到420 ns的可编程死区时间
• 3毫米x 3毫米的足迹
  • DFN3030小尺寸，集成了一个自举二极管，以减少空间和重量限制应用的组件数量

应用程序

• 电机驱动-驱动高达50v的无刷直流(BLDC)电机，特别是在电池供电的应用:
  • 电钻、手动吸尘器和搅拌机等无绳电动工具
  • 无人机、遥控卡和飞机
  • 球迷,电子烟