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2ED2182S06F 650 V半桥MOSFET和IGBT栅驱动器

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-15

摘要： 英飞凌650v, 2.5 A大电流半桥栅驱动IC提供了一个集成的引导二极管DSO-8封装

英飞凌的650 V半桥高速功率MOSFET和IGBT栅极驱动器在DSO-8封装中具有典型的2.5 A的陷源电流。MOSFET是基于英飞凌的soi技术，具有优良的耐用性和对VS引脚负瞬态电压的噪声免疫能力。器件中没有寄生晶闸管结构，这意味着在任何温度或电压条件下都没有寄生闭锁。DSO-14包版本也可以在部件号2ED21824S06J中获得。

特性

工作电压(VS节点)高达650 V
阴性VS瞬态免疫100v
集成了超快、低电阻自举二极管，降低BOM成本
浮动通道设计bootstrap操作
内置死区时间的集成击穿保护(400纳斯)
最大供电电压25 V
HIN和LIN输入逻辑

两个通道的独立欠压锁定(UVLO)
200ns传播延迟
逻辑操作高达VS引脚- 11v
输入端负电压容差-5伏
该浮动通道可用于驱动n通道MOSFET, SiC MOSFET，或IGBT在高侧配置

应用程序

电动汽车快速充电
家用电器
电机控制与驱动

电源管理(SMPS) -参考设计
电动工具

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