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摘要： Alpha和Omega半导体的AO34xx系列沟道技术增强模式场效应晶体管
Alpha和Omega半导体的AO34xx系列mosfet使用先进的沟道技术提供优良的R(DS(ON))，低至22 毫欧也非常低的栅极电荷，低至3.2 nC @ 4.5 V。AO34xx系列在1.5 V到12 V的宽栅驱动范围内运行，同时提供高达6.5 a @ +25°C的连续漏极电流。这些mosfet具有非常宽的结和存储温度范围-55°C到+150°C，最大功耗可达1.5 W，使它们非常适合负载开关和PWM应用。AO34xx系列是一种低调的SOT-23封装类型。
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