集成硅解决方案公司(ISSI)宣布，它已经开始采样汽车级串行(SPI)和并行SLC NAND闪存生产单元。ISSI的SLC NAND闪存产品支持较宽的工作温度范围-40°C至+105°C，使其成为下一代汽车、工业和物联网(IoT)应用的理想选择。SPI NAND和并行NAND闪存设备都是AEC-Q100合格，满足严格的汽车认证要求。SPI NAND当前可用的密度为1 Gb，而并行SLC NAND可用的密度为1 Gb、2 Gb和4 Gb。ISSI正在研究更多的NAND闪存密度和串行/并行NAND/NOR闪存及其DRAM产品线的多芯片封装(MCP)选项。

除了SPI NAND和并行NAND闪存外，ISSI还提供多种dram，包括SDR、DDR2、DDR3和mobile SDR、LPDDR、LPDDR2;异步和同步SRAMs的完整线路，密度从64 Kb到72 Mb;和一个广泛的NOR闪存组合，从256 Kb到512 Mb。