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英飞凌的40 V以下功率场效应管有多种封装,提供了设计和应用的灵活性

来源:HQBUY 发布时间:2021-04-13

摘要: 英飞凌的40 V以下功率场效应管有多种封装,提供了设计和应用的灵活性。英飞凌提供各种N通道功率场效应管,适用于12v (DC)或24v (DC)总线电压,以及更小功率处理的产品(单和双N和p通道mosfet)。



英飞凌提供各种N通道功率场效应管,适用于12v (DC)或24v (DC)总线电压,以及更小功率处理的产品(单和双N和p通道mosfet)。顾名思义,英飞凌系列40v以下的OptiMOS功率场效应管涵盖了多个电压等级,最高可达40v。各种可用的软件包包括SuperSO8、DPAK、PQFN (5x6、3.3x3.3)和TO-220支持设计和应用的灵活性。


≤40 V的OptiMOS功率场效应管有助于提高系统性能和效率。由于R(DS(ON))值较低以及门极和输出电荷较低,它们的使用可以减少功率损耗。通过坚持最高质量标准,英飞凌确保这些mosfet在各种应用条件下可靠地运行。

客户的利益

  • 简化设计:在线设计工具、模拟模型和产品支持材料

  • 方便选择和购买:交叉参考工具和MOSFET finder


选择应用程序(示例)

  • 用于服务器、电信和PC电源的SMPS

  • 适配器

  • 充电器

  • 电池驱动的应用程序

  • 电机控制与驱动

  • 电池管理系统

  • 逆变器

  • 移动应用程序

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