SiC MOSFET和IGBT驱动器9 A峰值输出- IX4351NE

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-12

摘要： IXYS, Littelfuse technology公司的IX4351NE具有保护功能，包括UVLO和热关机检测

IXYS, Littelfuse技术，已经设计了一个驱动，专门与SiC mosfet和高功率igbt工作。分开的源极和sink输出允许定制的开断时间，同时最小化开关损耗。内部负电荷调节器提供了一个可选择的负栅极驱动偏置改进dv/dt免疫和更快关断。

IXYS集成电路部门也有一个IX4351的评估板，其中包含所有必要的电路，以展示高功率SiC MOSFET栅驱动器和SiC MOSFET的特性。该板包括一个来自Littelfuse的LSIC1MO120E0080 1200 V SiC MOSFET，典型的R(DS(ON))为80 m, ID为25 A。

MOSFET特征

将峰值源输出和峰值汇输出分开
工作电压范围:-10 V至25 V
内部负电荷泵调节器可选择的负栅驱动偏置
软关机下沉驱动的去饱和检测
TTL和CMOS兼容输入
欠压锁定(UVLO)
热关机
漏泄故障输出

评估板功能

在栅极驱动器上有源输出和sink输出
输出可切换25a
栅极驱动电源范围从13 V到25 V
3.3 V / 5v CMOS/TTL逻辑兼容性，实现与微控制器的无缝接口
独立欠压封锁(UVLO)
输入引脚包括施密特触发器，以更好的噪音免疫
软停机去饱和检测
负电荷泵

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