高压MOSFET和IGBT栅极驱动器

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-09

摘要： ON Semiconductor提供其NCP510x MOSFET和IGBT栅极驱动器，高压范围高达600 V

在半导体NCP510x设备高压门驱动器ICs提供两个输出直接驱动两个n沟道功率mosfet和igbt安排在一个网格状的配置版本B或任何其他高端+下部配置版本a引导技术是用来保证适当的驱动器的高端电源开关。驱动程序有两个独立的输入。

特性
高电压范围:可达600v dv/dt免疫±50 V/nsec 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高和低驱动输出输出源/汇电流能力:250 mA / 500 mA 3.3 V和5v输入逻辑兼容输入引脚上高达V(CC)摆动匹配两个信道之间的传播延迟		输出与输入同相位独立的逻辑输入以适应所有拓扑结构(版本A) 内部固定死区100 ns交叉导通保护(B版) 在V(CC)锁定(UVLO)下两个通道 Pin-to-pin兼容行业标准
应用程序
网格状的电源转换器任何补充驱动转换器(不对称半桥，有源箝位)(仅一个版本)		全桥转换器固态电动机驱动

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特性
高电压范围:可达600v dv/dt免疫±50 V/nsec 栅极驱动电源范围从10 V到20 V 高和低驱动输出输出源/汇电流能力:250 mA / 500 mA 3.3 V和5v输入逻辑兼容输入引脚上高达V(CC)摆动匹配两个信道之间的传播延迟		输出与输入同相位独立的逻辑输入以适应所有拓扑结构(版本A) 内部固定死区100 ns交叉导通保护(B版) 在V(CC)锁定(UVLO)下两个通道 Pin-to-pin兼容行业标准
应用程序
网格状的电源转换器任何补充驱动转换器(不对称半桥，有源箝位)(仅一个版本)		全桥转换器固态电动机驱动