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高压功率MOSFET和IGBT驱动器

来源:HQBUY 发布时间:2021-04-08

摘要: 安森美半导体提供其用于全桥和半桥功率转换器的高压功率门驱动器



来自ON半导体的高压功率栅极驱动器针对低到中功率的应用,可用于终端产品,如白色家电,照明镇流器,和工业应用,如电机控制。


这些高压、高侧和低侧驱动器在较宽的温度范围内(-40°C (J) <125°C),可以在高达600 V的输入电压下工作,简化了设计的时间和工作量。所有器件都具有50 V/ns的dv/dt抗扰度,3.3 V和5 V输入逻辑兼容。这些设备使用bootstrap技术,以确保正确的驱动高侧电源开关,并提供坚固的设计。


NCP5109、NCP5106B、NCP5181和NCP5304是高压功率栅极驱动器,提供两个输出用于以半桥结构布置的两个n通道功率场效应管或igbt的直接驱动。NCP5106A可用于任何其他高侧加低侧配置。


特性
  • 高电压范围:高达600v
  • dv/dt免疫50v /nsec
  • 栅极驱动电源范围从10 V到20 V
  • 高和低DRV输出
  • 3.3 V和5v输入逻辑兼容
  • 输入引脚上高达V(CC)摆动
  • 匹配两个信道之间的传播延迟
  • 输出与输入同相位
  • 独立的逻辑输入以适应所有拓扑结构
  • 两个通道均有电压锁定(UVLO)
应用程序
  • UPS系统桥式逆变器
  • 大功率能源管理
  • 网格状的电源转换器
  • 全桥转换器
  • 任何补充驱动转换器(不对称半桥,有源箝位)
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