EPC的第5代技术的引入是向性能新领域的一次量子飞跃。这一最新一代技术将第4代eGaN场效应管的尺寸缩小了一半，但性能却提高了三倍。成本的降低和性能的提高创造了一个“良性循环”，扩大了eGaN fet和集成电路与老化功率MOSFET之间在性能和成本方面的差距。

特性

• 小的内存占用—巨大的性能提升
  • 与先进的硅mosfet相比，在100v时eGaN场效应管在R(DS(ON)) x die区域有4倍的优势
  • 在200v时，这个优势跳到16倍
• 改良优绩(FOM)
  • 最新一代的eGaN fet在100 V和200 V时的优势分别是硅的4倍和8倍，提高了高频功率转换应用中的开关性能
• 应用程序受益于性能的提高
  • 在一个使用100 V EPC2045的例子中，在一个48 V到5 V的电路中，工作在500 kHz的开关频率下，功率损耗降低了30%，效率比最好的同类MOSFET提高了2.5个百分点