功率场效应管

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-08

摘要： 意法半导体提供其功率场效应晶体管支持电压范围的应用

意法半导体的MOSFET产品组合提供广泛的击穿电压范围从-500 V到1500 V，以及低栅极电荷和低导通电阻，所有这些都结合了最先进的封装。ST的高压mosfet (MDmesh)和低压mosfet (StripFET)工艺技术提高了功率处理能力，从而实现了高效率的解决方案。

其广泛的产品组合的主要特点包括:
-500 V至1500 V击穿电压范围超过30个封装选项，包括4-lead TO247-4具有专用控制引脚，以提高开关效率，H(2)PAK高电流能力，1毫米高表面安装PowerFLAT 5×6 HV和VHV具有优异的热性能，这得益于一个大的，暴露的金属排水板改进了栅极电荷和更低的功耗，以满足当今具有挑战性的效率要求本征快速体二极管选择所选择的产品线广泛的汽车级mosfet产品组合

在每个电压范围，支持应用，如开关模式电源，照明，DC-DC转换器，电机控制和汽车应用，ST有适合用户设计的MOSFET。

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