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GSI Technology

同步破裂sram

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-07

摘要： GSI Technology的SRAMs可提供各种密度、封装和设计选项

GSI SyncBurst SRAMs已经为中程数据采集设计工作了超过15年，并可用于密度、包和设计选项的巨大分类。这些SRAMs还提供长期内存IC支持计划。

SyncBurst SRAMs提供了一个2到4个单词的“burst”来响应一个时钟信号。SyncBurst SRAMs用于网络、工业、汽车和医疗成像应用，需要中频性能点(通常为333 MHz至166 MHz时钟速率)。

特性

FT引脚用于用户可配置的通流或流水线操作
双周期取消选择(DCD)操作
2.5 V或3.3 V±10%核心电源
2.5 V或3.3 V I/O电源
线性或交错突发模式的LBO引脚

模式引脚上的内部输入电阻允许浮动模式引脚
默认为交错管道模式
字节写(BW)和/或全局写(GW)操作
内部自定时写周期
为便携式应用程序自动关机
符合RoHS 100引脚TQFP和119和165 bump BGA封装

应用程序

网络
汽车
医学成像

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