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150 V n通道x4级超结功率场效应管

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-07

摘要： IXYS n通道x4级功率mosfet可以并联工作，以满足更高的电流要求

IXYS，现在Littelfuse的一部分，引入了一种功率半导体器件开发使用电荷补偿原理和专有工艺技术，从而产生功率MOSFET，显著降低导通电阻[R(DS(ON))]和门电荷(Q(g))。低导通电阻降低了导通损耗;它还降低了存储在输出电容中的能量，最大限度地减少了开关损耗。低Q(g)导致在轻负荷下更高的效率，以及较低的门驱动要求。此外，这些mosfet雪崩额定和显示优越的dv/dt性能。由于导通电阻的温度系数为正，因此它们可以并联工作，以满足更高的电流要求。

特性

低R(DS(ON))和Q(g)
dv / dt强度

雪崩能力
国际标准包装

应用程序

开关电源的同步整流
电机控制(48 V至80 V系统)
直流-直流转换器
不间断电源

电动叉车
d类音频放大器
电信系统

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