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超高效率U-MOS IX-H mosfet

来源:HQBUY 发布时间:2021-04-07

摘要: 东芝通过增加30v, 40v和60v器件来扩展他们的超高效率MOSFET家族



东芝扩大了其超高效率、低压mosfet家族,增加了30v、40v和60v器件到公司现有的阵容。所有设备都有超小型化、TSON Advance、SOP Advance和TO-220/TO-220- sis封装选项,实现低导通电阻和低Q(OSS),以提高基站、服务器或工业设备中使用的切换模式电源的效率。


这些n通道mosfet包括30v, 40v和60v器件,是基于东芝的新一代U-MOS IX-H沟槽半导体工艺。通过降低导通电阻(R(DS(ON)))和通过降低输出电荷(Q(OSS))提高开关效率,该工艺被设计为在各种负载条件下提供“同类中最佳”的效率。


mosfet将帮助设计人员在各种电源管理电路中减少损耗和板空间,包括DC-DC转换中的高侧和低侧切换和交直流设计中的次级侧同步整流。该技术也适用于基于锂离子电池的电子设备中的电机控制和保护电路模块。


特性
  • 漏源极低导通电阻:
  • 低输出电荷(漏源极电容电荷)
  • 包装尺寸:3.3 x 3.3 x 0.85 mm
  • SOP前置包装(5 x 6 x 0.95 mm)
  • TO-220/TO-220SIS封装(10 x 15 x 4.45 mm)

应用程序
  • 为服务器和基站提供电源
  • 高效直流-直流转换器
  • 切换监管机构
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