HB2系列650 V IGBT

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-07

摘要： STMicro的trench gate field-stop, 650 V, 40 A，高速HB2系列IGBT在TO-247长引线封装

STMicroelectronics' IGBT 650 V HB2系列代表了先进的专有沟槽栅场阻结构的进化。HB2系列的性能在传导方面进行了优化，这得益于在低电流值下更好的V(CE(sat))行为，以及在降低开关能量方面。仅用于保护目的的二极管与IGBT反并联共封装。其结果是一个专门设计的产品，以最大限度地提高效率，为广泛的快速应用。

特性

最大结温:T(J) = 175°C
低V(CE(sat)) = 1.55 V(typ.) @ I(C) = 40 A
Co-packaged保护二极管
最小化尾电流

严格的参数分布
低的热阻
正V(CE(sat))温度系数

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