NIV1161 ESD保护二极管

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-07

摘要： ON Semiconductor提供其低电容ESD保护二极管，用于汽车高速数据线，电池阻塞时间短

ON Semiconductor公司的NIV1161设计用于保护高速数据线免受ESD以及汽车电池短路的影响。超低电容和低ESD箝位电压使该器件成为保护电压敏感高速数据线的理想解决方案，同时低R(DS(on)) FET限制信号线失真。流通式封装允许简单的PCB布局和匹配的跟踪长度，以保持高速差分线之间的阻抗一致，如USB和LVDS协议。

特性
低电容(0.65 pF typ, I/O到GND) I/Os之间二极管电容匹配:1%(典型值) 优化的布局，优良的高速信号完整性 AEC-Q101合格，PPAP能力强		以下IEC标准的防护:IEC 61000-4-2(4级) 低ESD夹紧电压
典型的应用程序
汽车高速信号对 USB2.0/3.0 LVDS		HDMI APIX2

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