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GSI Technology

低延迟后发

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-06

摘要： GSI Technology的lldram允许以前仅在sram中发现的访问速率

GSI技术低延迟DRAMs (LLDRAMs)是为高地址率数据处理设计的高速存储设备，通常出现在网络和电信应用中。8银行体系结构和低tRC允许访问率以前只发现sram。

特性

引脚和功能兼容微米RLDRAM II
533 MHz DDR操作(1.067 Gbps/pin数据速率)
38.4 Gbps峰值带宽(x36在533 MHz时钟频率)
可用的组织有x36、x18和x9
8个内部银行并发操作和最大带宽
减少周期时间(15纳斯在533 MHz)
地址多路复用(非多路复用地址选项可用)
SRAM-type接口
可编程读取延迟(RL)，行周期时间，突发序列长度
平衡读写延迟，优化数据总线利用率

写命令的数据掩码
差分输入时钟(CK，CK)
差分输入数据时钟(DKx，DKx)
片上DLL生成CK边对齐数据和输出数据时钟信号
数据有效信号(QVLD)
32毫秒刷新(每个银行刷新8k;每32ms总共必须发出64k刷新命令)
144 -μBGA球包
HSTL I/O (1.5 V或1.8 V标称)
25欧姆到60欧姆匹配阻抗输出
2.5 V V(EXT)， 1.8 V V(DD)， 1.5 V或1.8 V V(DDQ) I/O
On-die终端(ODT) RTT
工商业温度

应用程序

查找表
队列缓冲
图像处理

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