NTMFS5H4xx和NTMFS5H6xx功率mosfet

来源：HQBUY 发布时间：2021-04-02

摘要： ON半导体提供功率mosfet，提供RDS(ON)值低至0.8 毫欧

ON Semiconductor的NTMFS5H4xx和NTMFS5H6xx功率mosfet提供的R(DS(ON))值低至0.8 毫欧，实现了显著的导通损耗，并提高了整体运行效率水平。它们还提供非常低的Q(G)和输入电容，确保驱动器损耗尽可能低。这些设备被封装在一个占地面积很小的SO8FL封装中。

特性		应用程序
小占地SO8FL(5×6)封装子毫欧R (DS(上))传导损失最小化 60 V: 1.3 毫欧@ 10 V (max) 1.7米欧姆@ 4.5 V (max) 40 V: 1.1 毫欧@ 10 V (max)到1.6 毫欧@ 4.5 V (max) 低Q(G)和电容，最大限度地减少驱动器损耗 60 V: 40 nC @ 4.5 V(GS) (typ)到89 nC @ 10 V(GS) (typ) 40 V: 41 nC @ 4.5 V(GS) (typ)到89 nC @ 10 V(GS) (typ) 进一步改进开关参数 60 V: t(RR) 72 ns (typ) 40 V: t(RR) 59 ns (typ)		高效率的DC-DC转换一次侧MOSFET 二次同步整流巴克调节器高效交直流转换二次同步整流网络/电信服务器 AC适配器手持电动工具

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