
恩浦NXP的HB2000AES、HB2000ES和33926AES系列h桥电机驱动器具有较小的HVQFN 6 mm x 6 mm封装44%,并改善了汽车电动汽车、内燃机控制和工业电机控制应用的热性能。
市场正转向电动汽车(EV)和内燃机(ICE)的电气化。由于液压泵被电动机取代,每辆电动汽车和内燃机的电动机数量增加了。五年前,一台发动机控制单元(ECU)有1到3台刷直流h桥电机。今天,你会发现3个、5个、7个,甚至更多。这就提出了几个问题,包括空间、热量和成本。恩智浦推出了HB2000AES、HB2000ES和33926AES H-bridge电机驱动器,解决了这些问题。
HVQFN 28针封装的一些主要特点是较小的尺寸,高导电性的模具连接,低热阻热垫,角焊垫确保热循环,焊接焊垫上可检查的圆角焊点目视检查。
HB2002 / HB2000 h桥的特性
- 区分点
- 认证ISO 26262 B/D h桥式电机驱动器
- 实时电流反馈(±5%)
- 6毫米x 6毫米封装,缩小44%
- 广泛的回转速度选择,可连续操作
- 专利热保护电流限制
- 两个R(DS(ON))s的选择
- Pin-for-pin drop-in替换灵活
- 产品特性
- 4.5 V到36 V操作,42 V暂态
- MC33HB2000/2:典型120 毫欧
- spi可选择电流限制:5.4 A, 7.0 A, 8.8 A, 10.7 A
- SPI-selectable杀率:0.25 V /μ年代,0.5 V /μ年代,1 V /μs, 2 V /μs, 4 V /μ年代,8 V /μ年代,16 V /μ年代,绕过
- 三种封装:6 mm x 6 mm HVQFN、8 mm x 8 mm PQFN和10 mm x 11 mm HSOP
MC33926 h桥
- 区分点
- 44%小包装(6毫米x6毫米;36毫米平方。)
- 电流镜:HS MOSFET电流的1/400
- 过流限制:内部恒定关闭时间PWM
- 超温保护
- 可选择转换率:11千赫或20千赫
- 热阻低:R西塔JC小于1.0°C / W
- 半桥控制允许双向输出驱动器
- 5 V ~ 28 V运行;42 V瞬态
- 输出峰值电流
- T(J)=时最大235 毫欧+150°C为每个MOSFET
- T(J)=时典型120 毫欧+25°C每个MOSFET
- 3 V和5 V TTL/CMOS逻辑兼容输入
- 用于故障检测的状态标志脚(SF)
- 短到PWR,短到GND, UVLO和超温
汽车应用程序
- 电动汽车
- 内燃机
- 电子油门控制(等)
- 电子气体再循环
- 多端口注射(MPI)皮瓣控制
- 汽油直接喷射(GDI)涡流和涡动襟翼
- 涡轮排污阀
- 热水器阀门
- 排气声音调优
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