OptiMOS 40 V功率mosfet在PQFN 3.3 mm x 3.3 mm源下

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-31

摘要： 英飞凌的源向下封装功率MOSFET提供优越的RDS(on)和优越的热性能

英飞eon的IQE013N04LM6和IQE013N04LM6CG是OptiMOS PQFN 3.3 mm x 3.3 mm源下组合的第一个40 V扩展。这些功率mosfet提供优越的热性能和优化布局的可能性，以支持更高的系统效率和功率密度要求的最终应用，如电动工具。

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