IXYS公司/Littelfuse公司生产的200 V超结x3级HiPerFET mosfet电流额定范围从36 A到300 A。广泛的设备选择可在一些国际标准包。

使用电荷补偿原理和IXYS/Littelfuse自己的工艺技术制作，这些mosfet显示出目前业界最低的导通电阻(例如，SOT-227封装中为3.5毫欧，TO-264中为4毫欧)。由于栅极电荷低至21纳米粒，这些器件在各种高速功率转换应用中实现了高功率密度和高能效。

器件的快速体二极管经过优化，具有低反向恢复电荷和时间，从而抑制瞬变，并实现低噪声、高效率的功率开关。此外，这些mosfet具有雪崩能力和优越的dv/dt性能(高达20 V/ns)。

目标应用包括同步整流、轻型电动汽车(LEVs)的电池充电器、电机控制(48v至110v系统)、DC-DC转换器、不间断电源、电动叉车、逆变器、功率固态继电器和d类音频放大器。