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摘要： Littelfuse的n通道，增强模式SiC MOSFET是理想的高频电源系统
Littelfuse公司的LSIC1MO170E1000 SiC MOSFET提供了传统硅基功率晶体管器件的一个有价值的替代方案。与类似的额定绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，MOSFET器件结构可实现更低的单周开关损耗和更高的轻负载效率。
由于其固有的材料特性，这种SiC MOSFET在阻塞电压、特定导通电阻和结电容方面优于其Si MOSFET对手。
SiC MOSFET的状态
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