ISSI的IS34ML和IS34MW系列NAND产品补充了串行和并行NOR产品，适用于嵌入式市场。ML (3.0 V)系列和MW (1.8 V)系列SLC NAND器件可在密度为1 Gb, 2 Gb和4 Gb。

SLC NAND闪存设备非常适合于需要高可靠性的面向性能的应用。SLC每个存储单元存储1位数据，并提供快速读写能力。这些产品适用于需要1位或4位ECC算法的系统，并提供10年的100 K循环使用寿命。

特性

• 电源电压:

• V(CC): 2.7 V至3.6 V(IS34ML系列)

• V(CC): 1.7 V至1.95 V(IS34MW系列)

• 灵活的x8或x16选项

• 具有成本效益的统一的块

• 块擦除时间:3毫秒

• 自动读取操作

• 硬件数据保护

• 10万程序/擦除周期

• 数据保留:10年

• 支持1位或4位ECC每512b

• 工业温度:-40°C至+85°C

• 扩展温度:-40°C至+105°C

• 工业标准封装:48针TSOP和63针(9 mm x 11 mm BGA)

应用程序

• 汽车信息娱乐

• 仪器的集群

• ADAS

• 工业米

• 工业传感器

• M2M

• POS终端

• 智能计量

• 游戏机

• 打印机

• 数码相机

• 数字电视

• 机顶盒