东芝拥有一系列用于控制功率输入的负载开关和mosfet，以及用于处理异常输入功率条件和过压浪涌条件的保护ic和二极管。随着SSD技术的改进，它将要求电力电路能够满足日益严格的电力需求，同时还需要保护重要数据免受故障的影响。

东芝拥有一系列用于控制功率输入的负载开关和mosfet，以及用于处理异常输入功率条件和热插拔期间过压浪涌的保护ic和二极管。

东芝广泛的产品线可以满足这些要求，包括最新的TVS二极管、肖特基二极管(SBD)、LDOs、负载开关IC和功能强大的eFuse IC。

电源保护电路解决方案

外部静电放电(ESD)、电源输入异常和热插拔过程中的过电压浪涌常常会给系统带来问题。为了保护有价值的数据和pmic免受这些损害，组合使用eFuse IC、ESD保护二极管、齐纳二极管和肖特基势垒二极管是非常有效的。

东芝eFuse IC在一个封装中实现了各种保护功能，如超高速短路保护和过流、过压和涌流抑制。此外，由于它获得了IEC62368-1 (G.9)，它提供了比以前更简单和更强的保护电路。

此外，高IPP ESD保护二极管或齐纳二极管可用于对抗若干ns到ms的ESD浪涌和瞬态电压。此外，通过与SBDs结合，可以创建一个更强大的保护电路，作为对负电压的措施，防止反向电流。

配电开关解决方案

电压转换的电源开关和LDO的选择对于低电压/大电流功率控制尤为重要。

在某些情况下，低压线路不能满足许多常用负载开关的最低电压要求。tck207a负载开关IC工作在只有0.75 V低压电源开关。它还具有21 毫欧的低导通电阻，可输出高达2.0 A。东芝的小型MOSFET具有低导通电阻，可以在各种封装和配置中找到。

如果动力轨本身是不够的，使用LDO调节器。例如，TCR3U系列低功耗LDO具有0.8 V至5.0 V的宽输出电压，低电流消耗，内置多种功能来降低静态电流和改善瞬态响应。

此外，TCR15AG系列大电流LDO采用双电源技术，输出电压可达1.5 A，输出电压0.6 V ~ 3.6 V，极低的压差。LDO稳压器是非常棒的，因为他们提供非常精确的电压轨道与最小的辍学和适合几乎任何设计，由于他们的小性质。

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