IDT推出了业界首个单极双掷(SPDT) RF开关，其K|(Z)|恒阻抗技术正在申请专利。IDT F2923是一种低插入损耗SPDT吸收射频开关，设计用于多种射频应用，包括基站(2G, 3G, 4G和5G)，无线回程，有线电视，和便携式手持设备。

K|(Z)|特性在RF端口之间切换时控制所有端口阻抗，保留回波损耗。没有K值|(Z)|的标准开关在切换射频路径时产生一个大的驻波比(VSWR)瞬态，因为开关的阻抗在开关事件中没有得到很好的控制。VSWR暂态会降低系统性能和可靠性。K|(Z)|在不同的动态或“热切换”场景中的好处包括:

• 在两个射频元件(如PAs、驱动器和LNAs)之间切换时，避免损坏和引起瞬态错误
• 当切换配电网络的路径，如3db耦合器或4路分路器时，尽量减少未切换路径上的瞬态振幅和相位误差