MASTERGAN1高功率密度半桥

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-29

摘要： 意法半导体的高功率密度半桥高压驱动器包括两个650 V增强模式GaN hemt

意法半导体公司的MASTERGAN1是世界上第一个采用封装GaN HEMT系统(SiP)的600v半桥驱动程序，是MASTERGAN平台的第一个元素。MASTERGAN1结构紧凑，可以实现高功率密度电源，甚至比基于MOSFET开关的电源小四倍，这是由于GaNs的开关频率更高，驱动程序和两个GaN开关在同一封装中的高度集成。它还提供了健壮性。离线驱动程序针对GaN HEMT进行了优化，以实现快速、有效、安全的驾驶和简化布局。分散的GaN开关的管理可能是困难的，但嵌入式驱动程序管理GaN开关以简化电源设计。

特性

集成半桥驱动器和氮化镓晶体管的功率SiP
BOM成本降低
非常高效。
健壮的
简化板布局
3.3 V到20 V兼容输入
输入引脚张力兼容宽电压范围和独立器件V(CC)
联锁功能
联锁情况自动管理

应用程序

开关型电源
充电器和适配器
高压全氟化物
DC/DC和DC/AC转换器
UPS系统
太阳能发电

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