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摘要： Micro Commercial Components的mosfet是稳健的，并提供高EMI性能
Micro Commercial Components的超级结高压MOSFET平台使用多epi工艺，额定电压范围为650 V ~ 800 V。这使得零件更加坚固，具有更好的电磁干扰性能，非常适合于高功率一次侧应用。
裂栅MOSFET技术提供极低的R(SP)值，在较小的封装中达到更高的电流密度，适用于节省空间和高效率要求的应用。
目前SGT投资组合提供30 V ~ 150 V额定值，最低R(DSon)值为1.5M欧姆。
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