600v MDmesh DM6 mosfet系列

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-26

摘要： STMicroelectronics' s 600 V to 650 V MDmesh DM6 fast-recovery SJ mosfet提高效率和稳健性

意法半导体MDmesh DM6 MOSFET系列是当今全桥和半桥拓扑的参考。与上一代MDmesh版本相比，DM6结合了优化的电容配置和寿命抑制过程，从而实现了较低的栅电荷(Q(g))、极低的恢复电荷(Q(rr))、较低的恢复时间(t(rr))，并显著提高了每个区域的R(DS(ON))。

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