ZXGD3111N7或'ing MOSFET控制器

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-26

摘要： 二极管提供了一个200 V的有源环MOSFET控制器，用于驱动功率MOSFET

二极管公司通过ZXGD3111N7扩展了其专用MOSFET环形控制器系列，ZXGD3111N7设计用于电信、数据中心和服务器任务中的冗余电源架构。

ZXGD3111N7设计用于充分增强极低R(DS(ON))功率场效应管。这使得可以替换损耗肖特基阻塞二极管，从而降低工作温度和增加系统完整性。通过驱动mosfet作为“理想二极管”，控制器提高了标准48v共轨系统的整体系统效率。

特性
主动环MOSFET控制器高侧或低侧PSU 降低正向压降的理想二极管 -3 mV典型关断阈值±2 mV公差 200v漏极电压额定值 25 V V(CC)额定值		<50mw待机电源，具有静态供电电流;马1 <600 ns关断时间，最大限度减少反向电流完全无铅和完全符合rohs 无卤素和锑的“绿色”装置

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