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900v碳化硅(SiC) mosfet

来源:HQBUY 发布时间:2021-03-26

摘要: 在半导体上的mosfet提供高效率,增加功率密度,减少系统尺寸



ON Semiconductor的900v SiC mosfet使用了一种技术,与硅相比,该技术提供了优越的开关性能和更高的可靠性。此外,低通电阻和紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷。因此,系统的好处包括高效率、更快的操作频率、更高的功率密度、减少电磁干扰和减小系统尺寸。


特性
  • 900 V级
  • 低导通电阻
  • 紧凑的芯片尺寸确保低电容和栅极电荷
  • 高速开关,低电容
  • 100% UIL测试
  • 符合AEC-Q101标准

应用程序
  • PFC
  • OBC
  • 提高逆变器
  • 光伏充电
  • 用于电动汽车/插电式混合动力汽车的直流/直流转换器
  • 汽车车载充电器
  • 汽车辅助电动机驱动
  • 网络的电力供应
  • 服务器电源
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