DirectFET IRF6718 MOSFET

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-25

摘要： 英飞凌科技的最新一代硅技术在一个大can DirectFET封装

IRF6718L2采用英飞凌最新一代的大can DirectFET封装技术，在10v V(GS)时仅提供0.5 毫欧(典型)的极低R(DS(ON))，占地面积比D(2)PAK小60%，外形比D(2)PAK低85%。该器件显著降低了o形圈或热交换器应用中与通道芯相关的传导损失，并允许双侧冷却，最大限度地提高电力系统的热传递，从而显著提高整个系统的效率。

特性
超低包电感非常低的R(DS(ON))，以减少传导损耗兼容现有的表面贴装技术		优化的主动o形环/ eFUSE应用双面冷却兼容的
应用程序
英飞凌技术公司的第一个设备托管在一个大can DirectFET封装中，显著降低R(DS(ON))，为高密度DC-DC应用(如服务器)提供了卓越的效率和优越的热性能，比D(2)PAK占用更小的空间		与现有的解决方案相比，电路板空间和整体系统成本可以降低，因为给定功率损耗所需的部件更少为eFUSE和热交换电路提供改进的安全工作区域(SOA)能力

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