UnitedSiC的UF3SC065030D8S是一个650 V SiC FET, R(DS(ON))为34 毫欧，而UF3SC065040D8S是一个650 V SiC FET, R(DS(ON))为45 毫欧。这是一些最低R(DS(ON))数字开关设备在这一电压等级提供的DFN 8×8包。两种碳化硅fet的额定电流为18a，受封装中导线数量的限制，最大工作温度为150°C。该部件采用UnitedSIC独特的堆栈cascode配置，将正常开启的SiC JFET与Si MOSFET共同封装，产生正常关闭的SiC FET器件。碳化硅场效应管可以在0到10v或0到12v驱动，其栅驱动特性与标准Si场效应管、igbt和碳化硅场效应管相匹配。该部件还具有一个开尔文门返回，以实现更清洁的驱动特性。SiC FETs是对其他DFN 8×8封装的开关器件的drop-in改进，因为其较低的功耗使能在更高频率进行开关。设计师可以实现更大的转换效率和更大的功率密度的设计，在空间是溢价。低轮廓表面安装包支持低电感设计。通过使用烧结银模连接技术，实现了极低的结-壳热阻。