UF3SC SiC FETs with <10 毫欧RDS(on)

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-25

摘要： UnitedSiC的UF3SC在大功率应用中提供了前所未有的性能和效率水平

UnitedSiC的UF3SC SiC FETs R(DS(ON))级在650 V和1200 V 10 毫欧的R(DS(ON))欧姆在高功率应用中提供了前所未有的性能和效率水平。这些高性能SiC FET器件是基于一种独特的cascode电路配置，正常开启的SiC JFET与Si MOSFET共封装，以产生正常关闭的SiC FET器件。该器件的标准门驱动特性允许一个真正的替代Si igbt, Si fet, SiC mosfet，或Si超结器件。在TO-247-4L封装中，这些器件具有超低栅极电荷和出色的反向恢复特性，使其成为切换感应负载和任何需要标准栅极驱动的应用的理想选择。

特性

典型R(DS(on))为6.7 毫欧和8.6 毫欧
最大工作温度+175°C
优秀的反向恢复
门费用低
低固有电容
ESD保护，HBM 2级
TO247-4L开尔文包

应用程序

电动车逆变器
大功率DC / DC转换器
大电流充电器
固态电路保护(断路器)
PFC模块
马达驱动器

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