德州仪器公司的UCC21750 galvanic isolated single channel gate driver专为SiC mosfet和igbt设计，工作电压高达2121 V(DC)，具有先进的保护功能，最佳的动态性能和鲁棒性。UCC21750具有高达±10的峰值源极和sink电流。输入端采用SiO(2)电容隔离技术与输出端隔离，支持高达1.5 kV(RMS)的工作电压，12.8 kV(PK)浪涌抗冲击，隔离屏障寿命超过40年，并提供较低的部件间偏移，以及大于150 V/ns共模噪声抗扰(CMTI)。

UCC21750包括最先进的保护功能，如快速过流和短路检测，并联电流传感支持，故障报告，有源米勒钳位，输入和输出端电源UVLO，以优化SiC和IGBT开关行为和鲁棒性。隔离的模拟PWM传感器可用于更容易的温度和电压传感，增加驱动器的通用性，并简化系统设计工作，大小和成本。