东芝扩大了其超高效率、低压mosfet家族，在公司现有的产品线中增加了45v和60v器件。所有的器件都有超紧凑的DSOP高级封装选项，实现低导通电阻和低Q(OSS)，以提高开关模式电源的效率。它们用于基站、服务器或工业设备。

这些n沟道mosfet由一个45 V器件和一个60 V器件组成，是基于东芝的下一代U-MOS IX-H沟道半导体工艺。通过降低导通电阻(R(DS(ON)))和通过降低输出电荷(Q(OSS))提高开关效率，该工艺被设计为在各种负载条件下提供“同类中最佳”的效率。

mosfet将帮助设计人员在各种电源管理电路中减少损耗和板空间，包括DC-DC转换中的高侧和低侧切换和交直流设计中的次级侧同步整流。该技术也适用于基于锂离子电池的电子设备中的电机控制和保护电路模块。

电压(V (g)) 10 V,最大的R (DS(上))评级45 V MOSFET只是0.75欧姆,而典型的C (OSS)是1860 pF。60 V项目提供了R (DS(上))和典型的C (OSS)评分:0.95欧姆,1160 pF。这样可以确保提高优化性能在一个给定的应用程序的灵活性。

UMOS IX-H mosfet采用低尺寸表面贴装DSOP先进封装:双面冷却封装，尺寸为5 mm x 6 mm。所有的mosfet都将在175°C的通道温度下工作。