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摘要： 能够在半桥或全桥中驱动n沟道mosfet和igbt的二极管高压/高速栅极驱动器
二极管的DGD21xxx栅极驱动器提供了一种在半桥和全桥配置中切换功率mosfet和igbt的简单方法。具有高侧和低侧输出驱动能力，具有简单的逻辑电平输入，使控制器和功率MOSFET / IGBT开关之间的一个简单接口。通过一个浮动的高侧驱动器支持高达600v，允许在高压轨道上运行，通常用于电源，电机驱动和DC-AC逆变器。包括自我保护功能:如固定死亡时间延迟，以避免射击通过问题;施密特触发输入，避免误触发;栅极驱动对高电压/dt开关过程中产生的负瞬变的耐受能力;V(CC)电源的欠压闭锁(UVLO)保护，以避免在低供电电压下发生故障。
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