1000 V碳化硅mosfet - 华强商城

电子元器件产业互联网平台

焦点资讯商城动态独家观点业界资讯行情分析

技术方案 DataSheet 传感器连接器

国内展会商城促销视频

原厂资讯原厂专区合作入驻

您所在的位置：首页 > 技术资料 > 技术方案 > 1000 V碳化硅mosfet

1000 V碳化硅mosfet

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-23

摘要： Wolfspeed的SiC mosfet提供了低输出电容的高速开关

Wolfspeed，一家Cree公司，提供一系列1000 V mosfet优化的电动汽车充电系统，工业电源，可再生能源，和其他快速开关设备。

1000v SiC mosfet解决了许多功率设计的挑战，提供了一个独特的器件，具有低导通电阻，非常低的输出电容和低源电感，完美地混合了低开关损耗和低导通损耗。与基于硅的解决方案相比，Wolfspeed的碳化硅功率器件技术可以提高系统功率密度，提高开关频率，减少组件数量，并减少组件的尺寸，如电感器、电容器、滤波器和变压器。

特性

整个工作温度范围内最低1000v ((BR))(无需降速率)
带有驱动源的低阻抗包
低输出电容高速开关
低R(DS(ON))高阻塞电压
雪崩强度
低反向恢复的快速本征二极管(Q(RR))
易于平行和简单的驱动
开尔文栅源引脚减少开关损耗和振铃

爬电宽，具有更高的电压能力
能够降低整体系统成本
在减少系统规模的同时提高系统效率
实现元件数量减少30%，同时实现功率密度增加300%以上和输出功率增加33%
支持硬切换拓扑

应用程序

工业电源
可再生能源系统

快速电动汽车充电系统
车载电动汽车充电

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

上一篇：氮化镓在碳化硅血液学和MMICs

下一篇：10μF和高容量mlcc

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号

Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线：400-830-6691 粤ICP备05106676号经营许可证：粤B2-20210308