深沟槽工艺生产的SDT系列二极管比平面工艺生产的肖特基二极管具有更低的正向电压和反向泄漏电流。在SDT20B100CT的情况下，两者之间的差异可能非常显著，超过20%，在这里提供了出色的性能成本价值。这些肖特基二极管封装在热电效率高且完全绿色PowerDI5、TO220AB和ITO220AB封装中。它们都适合于完全自动化或劳动密集型的制造环境。

特性

• 优异的热传递性能
  • PowerDI5、TO220AB和ITO220AB封装都具有很高的热效率和RoHS兼容，允许这些设备在苛刻的应用中可靠地运行，非常适合大规模的生产设施

• 低正向电压
  • 在沟槽技术的基础上开发的这些器件提供比平面肖特基二极管低得多的正向电压(VF)。较低的VF导致在与设备成本相等或更好的奇偶性下获得更好的功率效率

• 低反向泄漏电流
  • 这些设备的泄漏电流(IR)是3.5μ。这种出色的性能为终端系统带来了更小的外形因素

• 正向浪涌大电流
  • 正向浪涌电流(IFSM)高达280 A，反向击穿电压(V(RRM))高达120 V，确保了器件的高度可靠性和终端系统的鲁棒性