摘要: Wolfspeed家族的1200 V SiC mosfet和二极管优化用于高功率应用
Wolfspeed, Cree公司,提供系列1200 V碳化硅mosfet和肖特基二极管,优化用于高功率应用,如UPS,电机控制和驱动器,开关模式电源,太阳能和储能系统,电动汽车充电,高压DC/DC转换器,等等。
1200v碳化硅mosfet:基于第三代技术,Wolfspeed的C3M 1200 V mosfet包括各种导通电阻和封装选项,使设计师能够为他们的应用选择正确的部分。1200 V mosfet设计用于低R(DS(ON))和提高C(GS)/C(GD)比,以更好的硬开关性能。软交换应用程序也可以从更线性的C(OSS)行为中获益。
1200 V碳化硅肖特基二极管:Wolfspeed的1200 V二极管也有多种封装选项和电流额定值。这种二极管采用MPS(合并PiN肖特基)设计,比标准肖特基势垒二极管更稳健和可靠。它们的设计目的基本上是实现无开关损耗,减少散热器需求,并保持更高的效率。1200伏二极管可以很容易地并联以增加设计灵活性。
Wolfspeed公司的1200 V SiC二极管与SiC mosfet的配对创造了一个强大的组合,在高要求的应用中具有更高的效率。在大多数大功率应用中,从硅基解决方案转向碳化硅所获得的效率可以降低系统的尺寸、重量、复杂性和成本。
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