摘要: 赛普拉斯半导体的nvSRAM与四串行外围接口(SPI)高吞吐量,可靠的数据捕获电源损耗
赛普拉斯为其行业领先的非易失性RAM (NVRAM)组合添加了一个接口。1 Mb quad SPI nvSRAM满足45 ns的数据吞吐量性能,高速并行NVRAM减少了16引脚SOIC包和24球BGA包的引脚数量。Cypress nvSRAM解决方案可靠地存储功耗数据,无需使用电池,降低系统成本,并保持符合RoHS要求。1mb quad SPI nvSRAM配有可选的集成实时时钟(RTC)和扩展的工业温度等级-40℃至105℃。它是RAID存储应用程序中写日志的理想解决方案,工业自动化应用程序中记录数据,以及计算和网络应用程序中存储关键配置数据。赛普拉斯的quad SPI nvSRAM产品利用高速,多输入/输出SPI兼容总线接口。它们具有执行就地(XIP)功能和高级写保护机制,以及双和四指令,支持54 MB/s的总带宽进行读和写操作。这些产品还提供无限的读/写耐力,100万次存储周期的功耗,高速读写,非易失性数据保留和一个可选的实时时钟(RTC)。一个小的外部Vcap电容需要完成非易失性数据传输时,电源损耗。
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