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ROHM Semiconductor

碳化硅功率场效应管

来源：HQBUY 发布时间：2021-03-16

摘要： ROHM的SiC mosfet具有低导通电阻和低开关损耗的特点

ROHM的碳化硅(SiC) mosfet可提供一系列当前额定值和封装。它们有各种电阻和电压(V(DSS))额定值650 V, 1200 V，或1700 V。与igbt不同的是，在关断过程中没有尾电流，从而提高了操作速度，降低了开关损耗。此外，与硅器件不同的是，导通电阻即使在高温下也保持相对稳定，最大限度地减少传导损耗。也可提供高达1700 V的裸模。

特性

开关速度快，损耗低
最大结温:+175°C
额定650 V、1200 V或1700 V的封装器件
对电阻从17毫欧到1150 毫欧
Spice模型和热模型可供选择

低输入电容(C(ISS))和低栅电荷(Q(G))的第三代沟槽技术
直流闭锁电压:650 V、1200 V、1700 V
最小开关损失
工作温度范围:-40°C至+175°C

应用程序

感应加热用逆变器
马达驱动逆变器
双向转换器

太阳能逆变器
权力护发素

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